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FS450R12OE4PBOSA1

FS450R12OE4PBOSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 450 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 1200 V 900 A 20 mW 底座安装 模块


得捷:
IGBT MOD 1200V 900A 20MW


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 450 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module


艾睿:
Econo PACK™ module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT/ pre-applied Thermal Interface Material


FS450R12OE4PBOSA1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 1.55nF @25V

额定功率Max 20 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

封装 AG-ECONOPP-2

外形尺寸

封装 AG-ECONOPP-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FS450R12OE4PBOSA1引脚图与封装图
FS450R12OE4PBOSA1电路图

FS450R12OE4PBOSA1电路图

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FS450R12OE4PBOSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 450 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module 搜索库存