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F102K33S3NN63J5R

F102K33S3NN63J5R

数据手册.pdf
VISHAY(威世) 被动器件

瓷片电容器级2 ,损耗低( 0.2 % ) , 500 VDC , 1 KVDC , 2 KVDC和3 KVDC Ceramic Disc Capacitors Class 2, Low Loss 0.2 %, 500 VDC, 1 kVDC, 2 kVDC and 3 kVDC

1 类 S3N 器

陶瓷 1 级电容器 S3N 电介质,用于 SMPS、高频率镇流和减震器电路。

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**特点**

高可靠性

低损耗

大电容,小尺寸

弯曲引线

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**应用**

该电容器可用于需要低损耗和单位体积高电容的电子电路中:SMPS、HF 镇流器、减震器和高电压电路。

### 认可

IEC 60384-9,EIA 198

### 标准

IEC 60384-9,EIA 198


欧时:
Vishay F 系列 1nF 1kV dc S3N电介质 通孔 单层陶瓷电容器 SLCC F102K33S3NN63J5R, ±10%容差


立创商城:
1nF ±10% 1kV


e络盟:
陶瓷盘式电容器, 1000 pF, 1 kV, F Series, ± 10%, S3N, 5 mm


艾睿:
Ceramic Disc Capacitors


安富利:
Cap Ceramic 0.001uF 1000V S3N 10% Radial 5mm 125°C Bulk


F102K33S3NN63J5R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1000 V

电容 1 nF

容差 ±10 %

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -30 ℃

额定电压 1 kV

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 Radial

引脚间距 5 mm

外形尺寸

直径 Φ8.50mm

封装 Radial

引脚间距 5 mm

物理参数

材质 S3N

工作温度 -30℃ ~ 125℃

温度系数 ±15 %

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

F102K33S3NN63J5R引脚图与封装图
F102K33S3NN63J5R引脚图

F102K33S3NN63J5R引脚图

F102K33S3NN63J5R封装图

F102K33S3NN63J5R封装图

F102K33S3NN63J5R封装焊盘图

F102K33S3NN63J5R封装焊盘图

在线购买F102K33S3NN63J5R
型号 制造商 描述 购买
F102K33S3NN63J5R VISHAY 威世 瓷片电容器级2 ,损耗低( 0.2 % ) , 500 VDC , 1 KVDC , 2 KVDC和3 KVDC Ceramic Disc Capacitors Class 2, Low Loss 0.2 %, 500 VDC, 1 kVDC, 2 kVDC and 3 kVDC 搜索库存
替代型号F102K33S3NN63J5R
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: F102K33S3NN63J5R

品牌: VISHAY 威世

封装: 1nF 1000V ±10%

当前型号

瓷片电容器级2 ,损耗低( 0.2 % ) , 500 VDC , 1 KVDC , 2 KVDC和3 KVDC Ceramic Disc Capacitors Class 2, Low Loss 0.2 %, 500 VDC, 1 kVDC, 2 kVDC and 3 kVDC

当前型号

型号: F102K39Y5RN6UK5R

品牌: 威世

封装: 1nF 1000V ±10%

完全替代

2 类 Y5R 电容器陶瓷 2 级电容器 Y5R 电介质,用于 SMPS、高频率镇流和减震器电路。### **特点** 高可靠性 低损耗 大电容,小尺寸 弯曲引线### **应用** 该电容器可用于需要低损耗和单位体积高电容的电子电路中:SMPS、HF 镇流器、减震器和高电压电路。绝缘电阻 | 1 GΩ 2 类 ---|--- 介电强度 | 200% 额定电压 ### 注不适于电源抑制使用,请查看 X 和 Y 抑制电容器部分。

F102K33S3NN63J5R和F102K39Y5RN6UK5R的区别