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F182K53S3NP63K7R

F182K53S3NP63K7R

数据手册.pdf
VISHAY(威世) 被动器件

1 类 S3N 电容器陶瓷 1 级电容器 S3N 电介质,用于 SMPS、高频率镇流和减震器电路。### **特点** 高可靠性 低损耗 大电容,小尺寸 弯曲引线### **应用** 该电容器可用于需要低损耗和单位体积高电容的电子电路中:SMPS、HF 镇流器、减震器和高电压电路。### 认可IEC 60384-9,EIA 198### 标准IEC 60384-9,EIA 198

1 类 S3N 器

陶瓷 1 级电容器 S3N 电介质,用于 SMPS、高频率镇流和减震器电路。

###

**特点**

高可靠性

低损耗

大电容,小尺寸

弯曲引线

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**应用**

该电容器可用于需要低损耗和单位体积高电容的电子电路中:SMPS、HF 镇流器、减震器和高电压电路。

### 标准

IEC 60384-9,EIA 198

### 认可

IEC 60384-9,EIA 198


欧时:
Vishay F 系列 1.8nF 2kV dc S3N电介质 通孔 单层陶瓷电容器 SLCC F182K53S3NP63K7R, ±10%容差


安富利:
Cap Ceramic 0.0018uF 2000V S3N 10% 13.5 X 5mm Radial 7.5mm 125°C Bulk


F182K53S3NP63K7R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 2 kV

电容 1.8 nF

容差 ±10 %

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -30 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚间距 7.50 mm

外形尺寸

直径 Φ13.50mm

引脚间距 7.50 mm

物理参数

材质 S3N

温度系数 ±15 %

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

F182K53S3NP63K7R引脚图与封装图
F182K53S3NP63K7R引脚图

F182K53S3NP63K7R引脚图

F182K53S3NP63K7R封装图

F182K53S3NP63K7R封装图

F182K53S3NP63K7R封装焊盘图

F182K53S3NP63K7R封装焊盘图

在线购买F182K53S3NP63K7R
型号 制造商 描述 购买
F182K53S3NP63K7R VISHAY 威世 1 类 S3N 电容器 陶瓷 1 级电容器 S3N 电介质,用于 SMPS、高频率镇流和减震器电路。 ### **特点** 高可靠性 低损耗 大电容,小尺寸 弯曲引线 ### **应用** 该电容器可用于需要低损耗和单位体积高电容的电子电路中:SMPS、HF 镇流器、减震器和高电压电路。 ### 认可 IEC 60384-9,EIA 198 ### 标准 IEC 60384-9,EIA 198 搜索库存