FF200R12KE4PHOSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7Pin 62MM-1

IGBT 模块沟槽型场截止半桥 1200 V 200 A 底座安装模块

得捷:
IGBT MODULE 1200V 200A

艾睿:
62mm C-Series module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-applied Thermal Interface Material

TME:
IGBT half-bridge; Urmax:1.2kV; Ic:200A; Ifsm:400A; AG-62MM-1

FF200R12KE4PHOSA1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 14nF @25V

封装参数

封装 AG-62MM-1

外形尺寸

封装 AG-62MM-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Commercial and Agriculture Vehicles, Drives, Uninterruptible Power Supply UPS, Welding, Solar, Induction Heating

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FF200R12KE4PHOSA1引脚图与封装图

FF200R12KE4PHOSA1电路图

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