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FZ1200R33HE3BPSA1

FZ1200R33HE3BPSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.2 kA, 2.7 V, 13 kW, 3.3 kV, Module

IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 3300 V 1200 A 13000 W 底座安装 模块


得捷:
IGBT MODULE 3300V 1200A


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.2 kA, 2.7 V, 13 kW, 3.3 kV, Module


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 3300V 1.2KA 11000mW Automotive Tray


FZ1200R33HE3BPSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 13 kW

击穿电压集电极-发射极 3300 V

输入电容Cies 210nF @25V

额定功率Max 13000 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 11000 mW

封装参数

封装 AG-IHVB190-3

外形尺寸

封装 AG-IHVB190-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives, Wind, Commercial and Agriculture Vehicles, Traction

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FZ1200R33HE3BPSA1引脚图与封装图
FZ1200R33HE3BPSA1电路图

FZ1200R33HE3BPSA1电路图

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FZ1200R33HE3BPSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.2 kA, 2.7 V, 13 kW, 3.3 kV, Module 搜索库存