FF200R33KF2CNOSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 330 A, 3.4 V, 2.2 kW, 3.3 kV, Module

Summary of Features:

Benefits:

得捷:
IGBT MOD 3300V 330A 2200W

e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 330 A, 3.4 V, 2.2 kW, 3.3 kV, Module

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200000mW Automotive 10-Pin IHV73-3 Tray

FF200R33KF2CNOSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.2 kW

击穿电压集电极-发射极 3300 V

输入电容Cies 25nF @25V

额定功率Max 2200 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2200000 mW

封装参数

引脚数 10

封装 A-IHV73-3

外形尺寸

封装 A-IHV73-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives, Wind, Commercial and Agriculture Vehicles, Traction

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

FF200R33KF2CNOSA1引脚图与封装图

FF200R33KF2CNOSA1电路图

在线购买FF200R33KF2CNOSA1

型号	制造商	描述	购买
FF200R33KF2CNOSA1	Infineon 英飞凌	晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 330 A, 3.4 V, 2.2 kW, 3.3 kV, Module	搜索库存