FF150R12KE3GHOSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 225 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, Module

IGBT 模块沟槽型场截止单斩波器 1200 V 225 A 780 W 底座安装模块

得捷:
IGBT MOD 1200V 225A 780W

e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 225 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, Module

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray

Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray

FF150R12KE3GHOSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 780 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 11nF @25V

额定功率Max 780 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 780000 mW

封装参数

引脚数 7

封装 62MM-1

外形尺寸

封装 62MM-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Welding, Drives, Solar, Commercial and Agriculture Vehicles, Uninterruptible Power Supply UPS, Induction Heating

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FF150R12KE3GHOSA1引脚图与封装图

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