FF150R12KE3GHOSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
耗散功率 780 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 11nF @25V
额定功率Max 780 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 780000 mW
引脚数 7
封装 62MM-1
封装 62MM-1
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Welding, Drives, Solar, Commercial and Agriculture Vehicles, Uninterruptible Power Supply UPS, Induction Heating
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FF150R12KE3GHOSA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 225 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, Module | 搜索库存 |