FDG6313N_NL
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDG6313N_NL中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 340 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 mW
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
栅源击穿电压 8.00 V
连续漏极电流Ids 500 mA
上升时间 8.5 ns
下降时间 8.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.1 mm
封装 SC-70-6
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDG6313N_NL引脚图与封装图
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在线购买FDG6313N_NL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDG6313N_NL | Fairchild 飞兆/仙童 | MOSFET 25V Dual N-Ch | 搜索库存 |
替代型号FDG6313N_NL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDG6313N_NL 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SC-70-6 N-Channel 25V 500mA 340mΩ | 当前型号 | MOSFET 25V Dual N-Ch | 当前型号 |
| 型号： FDG6313N 品牌： 飞兆/仙童 封装： 6-TSSOP N-Channel 25V 500mA 340mohms 50pF | 类似代替 | FDG6313N 复合场效应管 25V 500mA/0.5A SOT-363/SC70-6 marking/标记 33h | FDG6313N_NL和FDG6313N的区别 |
| 型号： FDC6303N 品牌： 飞兆/仙童 封装： SSOT N-Channel 25V 680mA 450mohms 50pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6303N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 680 mA, 25 V, 450 mohm, 4.5 V, 800 mV | FDG6313N_NL和FDC6303N的区别 |