FQD10N20

Fairchild 飞兆/仙童电子元器件分类

200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ’s proprietary,

planar stripe, DMOS technology.

Features

• 7.8 A,200 V, RDSon = 0.36Ω Max.@ VGS = 10 V

• Low Gate Charge Typ. 13.5 nC

• Low Crss Typ. 13pF

• Fast switching

• 100% Avalanche Tested

• Improved dv/dt capability

FQD10N20中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 7.6A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DPAK

外形尺寸

封装 DPAK

其他

产品生命周期 Unknown

FQD10N20引脚图与封装图

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替代型号FQD10N20

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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