FDU6688中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 83W Ta
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 3845pF @15VVds
耗散功率Max 83W Ta
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
FDU6688引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FDU6688
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDU6688 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK | 当前型号 |
| 型号： FDU8874 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-251 N-Channel 30V 116A 5.1mohms 2.99nF | 功能相似 | N沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 116A N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 116A | FDU6688和FDU8874的区别 |
| 型号： FDU8874_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDU6688和FDU8874_NL的区别 |