FQB25N33TM中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3.1W Ta, 250W Tc
漏源极电压Vds 330 V
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 2010pF @25VVds
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 250W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
FQB25N33TM引脚图与封装图
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在线购买FQB25N33TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB25N33TM | ON Semiconductor 安森美 | MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK | 搜索库存 |
替代型号FQB25N33TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB25N33TM 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 418AJ | 当前型号 | MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： FQB25N33TM-F085 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | 330V N-Channel QFET® MOSFET 25A, 230mΩ, TO-263 2L D2PAK, 800-REEL | FQB25N33TM和FQB25N33TM-F085的区别 |