FF600R07ME4B11BOSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
FF600R07ME4B11BOSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.8 kW
击穿电压集电极-发射极 650 V
输入电容Cies 37nF @25V
额定功率Max 1800 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1800000 mW
封装参数
引脚数 11
封装 AG-ECONOD-4
外形尺寸
封装 AG-ECONOD-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Solar, Commercial and Agriculture Vehicles, Uninterruptible Power Supply UPS, Drives, Welding
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FF600R07ME4B11BOSA1引脚图与封装图 
FF600R07ME4B11BOSA1电路图
在线购买FF600R07ME4B11BOSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FF600R07ME4B11BOSA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 700 A, 1.55 V, 1.8 kW, 650 V, Module | 搜索库存 |
替代型号FF600R07ME4B11BOSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FF600R07ME4B11BOSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 700 A, 1.55 V, 1.8 kW, 650 V, Module | 当前型号 |
| 型号： FF600R06ME3BOSA1 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Trans IGBT Module N-CH 600V 700A 1650000mW 11Pin ECONOD-3 Tray | FF600R07ME4B11BOSA1和FF600R06ME3BOSA1的区别 |