锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FF900R12IP4BOSA2

FF900R12IP4BOSA2

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module

Summary of Features:

.
Extended Operation Temperature Ttvj op
.
High DC Stability
.
High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Circuit Current
.
Unbeatable Robustness
.
Vcesat with positive Temperature Coefficient
.
Low Vcesat
.
4kV AC 1min Insulation
.
Package with CTI > 400
.
High Creepage and Clearance Distances
.
High Power and Thermal Cycling Capability
.
Substrate for Low Thermal Resistance
.
UL recognized
.
 

Benefits:

.
High Power Density
.
Standardized housing
FF900R12IP4BOSA2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 5.1 kW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 54nF @25V

额定功率Max 5100 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 10

封装 AG-PRIME2-1

外形尺寸

封装 AG-PRIME2-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Commercial and Agriculture Vehicles, Drives, Solar, Uninterruptible Power Supply UPS, Traction, Wind

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

FF900R12IP4BOSA2引脚图与封装图
FF900R12IP4BOSA2电路图

FF900R12IP4BOSA2电路图

在线购买FF900R12IP4BOSA2
型号 制造商 描述 购买
FF900R12IP4BOSA2 Infineon 英飞凌 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module 搜索库存