F9NK90Z
数据手册.pdf
ST Microelectronics
意法半导体
电子元器件分类
F9NK90Z中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 900 V
输入电容Ciss 2115pF @25VVds
额定功率Max 40 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
F9NK90Z引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| F9NK90Z | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道900V - 1.1Ohm - 8A - TO- 220 / FP- D2PAK ， TO- 247齐纳保护超网MOSFET N-CHANNEL 900V - 1.1Ohm - 8A - TO-220/FP-D2PAK-TO-247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET | 搜索库存 |