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FDU6682
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDU6682中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 71 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 75A

上升时间 12 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDU6682引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDU6682 Fairchild 飞兆/仙童 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET 搜索库存
替代型号FDU6682
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDU6682

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-251 N-CH 30V 75A

当前型号

30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

当前型号

型号: FDU8896

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-251 N-Channel 30V 94A 5.7mohms 2.52nF

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品牌: 飞兆/仙童

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