FS50R12W2T4BOMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 83 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module

IGBT 模块沟槽型场截止全桥反相器 1200 V 83 A 335 W 底座安装模块

得捷:
IGBT MOD 1200V 83A 335W

e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 83 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 83A 335000mW 18-Pin EASY2B-1 Tray

Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 83A 335000mW 18-Pin EASY2B-1 Tray

FS50R12W2T4BOMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 335 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 2.8nF @25V

额定功率Max 335 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 335000 mW

封装参数

引脚数 18

封装 EASY2B-1

外形尺寸

封装 EASY2B-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives, Air Conditioning System, Uninterruptible Power Supply UPS

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FS50R12W2T4BOMA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买FS50R12W2T4BOMA1

型号	制造商	描述	购买
FS50R12W2T4BOMA1	Infineon 英飞凌	晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 83 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module	搜索库存