FZ800R12KS4B2NOSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 52nF @25V
额定功率Max 7600 W
引脚数 7
封装 A-IHM130-1
封装 A-IHM130-1
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Uninterruptible Power Supply UPS, Wind, Solar, Drives
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
FZ800R12KS4B2NOSA1电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FZ800R12KS4B2NOSA1 | Infineon 英飞凌 | 1200V IHM 130mm single switch IGBT Module with fast IGBT2, enlarged diode and AlSiC base-plate - The best solution fo... | 搜索库存 |