
电源电压DC 5.00 V
工作电压 4.5V ~ 5.5V
额定电流 15.0 A
存取时间 120 ns
内存容量 8000 B
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 SOIC
封装 SOIC
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FM1608-120-SG | Ramtron | fm1608 series 64Kbit 8K x 8 5V 120ns parallel... | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FM1608-120-SG 品牌: Ramtron 封装: SOIC 8000B 5V 120ns 28Pin | 当前型号 | fm1608 series 64Kbit 8K x 8 5V 120ns parallel... | 当前型号 | |
型号: FM16W08-SG 品牌: Ramtron 封装: SOIC 8000B 2.7V 28Pin | 类似代替 | RAMTRON FM16W08-SG 芯片, 存储器, FRAM, 64K, 并行口, 28SOIC | FM1608-120-SG和FM16W08-SG的区别 | |
型号: FM1808-70-PG 品牌: Ramtron 封装: DIP 32000B 5V 28Pin | 类似代替 | Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDIP28, GREEN, MS-011, DIP-28 | FM1608-120-SG和FM1808-70-PG的区别 | |
型号: FM18W08-SG 品牌: 赛普拉斯 封装: FBGA 32000B 28Pin | 功能相似 | F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。 | FM1608-120-SG和FM18W08-SG的区别 |