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FDMD8540L
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8Pin PQFN EP T/R

Mosfet Array 2 N-Channel Half Bridge 40V 33A, 156A 2.3W Surface Mount 8-Power 5x6


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N


贸泽:
MOSFET 40V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin PQFN EP T/R


FDMD8540L中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 N-CH

耗散功率 2.3 W

阈值电压 1 V, 1 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 ±40 V

连续漏极电流Ids 33A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 7940pF @20VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.75 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDMD8540L引脚图与封装图
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