FS300R12OE4PNOSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 300 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

IGBT 模块沟槽型场截止全桥 1200 V 600 A 20 mW 底座安装模块

得捷:
IGBT MOD 1200V 600A 20MW

e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 300 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

艾睿:
Trench / Field Stop IGBT 4

安富利:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 460A

FS300R12OE4PNOSA1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 18.5nF @25V

额定功率Max 20 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Screw

封装 AG-ECONOPP-2

外形尺寸

封装 AG-ECONOPP-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Commercial and Agriculture Vehicles, Drives, Uninterruptible Power Supply UPS, Solar

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

FS300R12OE4PNOSA1引脚图与封装图

FS300R12OE4PNOSA1电路图

在线购买FS300R12OE4PNOSA1

型号	制造商	描述	购买
FS300R12OE4PNOSA1	Infineon 英飞凌	晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 300 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module	搜索库存