FF600R06ME3BOSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
FF600R06ME3BOSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1650000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 39nF @25V
额定功率Max 1650 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1650000 mW
封装参数
引脚数 11
封装 AG-ECONOD-3
外形尺寸
封装 AG-ECONOD-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tray
制造应用 Wind, Welding, Uninterruptible Power Supply UPS, Drives, Solar
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FF600R06ME3BOSA1引脚图与封装图 
FF600R06ME3BOSA1电路图
在线购买FF600R06ME3BOSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FF600R06ME3BOSA1 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Module N-CH 600V 700A 1650000mW 11Pin ECONOD-3 Tray | 搜索库存 |
替代型号FF600R06ME3BOSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FF600R06ME3BOSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | Trans IGBT Module N-CH 600V 700A 1650000mW 11Pin ECONOD-3 Tray | 当前型号 |
| 型号： FF600R07ME4B11BOSA1 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 700 A, 1.55 V, 1.8 kW, 650 V, Module | FF600R06ME3BOSA1和FF600R07ME4B11BOSA1的区别 |