锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FS150R12KT4B11BOSA1

FS150R12KT4B11BOSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, Module

Summary of Features:

.
High power density
.
Established Econo module concept
.
Integrated temperature sensor
.
Low stray inductance module design
.
RoHS-compliant modules

Benefits:

.
Compact module concept
.
Optimized customer’s development cycle time and cost
.
Configuration flexibility
FS150R12KT4B11BOSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 750 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 9.35nF @25V

额定功率Max 750 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 750000 mW

封装参数

引脚数 35

封装 AG-ECONO3-4

外形尺寸

封装 AG-ECONO3-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Induction Heating, Drives, Air Conditioning System

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FS150R12KT4B11BOSA1引脚图与封装图
FS150R12KT4B11BOSA1电路图

FS150R12KT4B11BOSA1电路图

在线购买FS150R12KT4B11BOSA1
型号 制造商 描述 购买
FS150R12KT4B11BOSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, Module 搜索库存