FP40R12KT3BOSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 40 A, 1.8 V, 210 W, 1.2 kV, Module

IGBT 模块 - 三相反相器底座安装模块

得捷:
IGBT MOD 1200V 55A 210W

e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 40 A, 1.8 V, 210 W, 1.2 kV, Module

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 55A 210000mW 24-Pin ECONO2-5 Tray

Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 55A 210000mW 24-Pin ECONO2-5 Tray

FP40R12KT3BOSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 210 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 2.5nF @25V

额定功率Max 210 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 210000 mW

封装参数

引脚数 24

封装 AG-ECONO2-5

外形尺寸

封装 AG-ECONO2-5

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Medical / Health Care, Induction Heating, Air Conditioning System, Drives

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FP40R12KT3BOSA1引脚图与封装图

FP40R12KT3BOSA1电路图

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