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FMW47N60S1HF

FMW47N60S1HF

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FUJI 富士电机 晶体管

FUJI ELECTRIC  FMW47N60S1HF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.059 ohm, 10 V, 3 V

N-沟道功率 MOSFET，Super J MOS，Fuji Electric

N-沟道增强模式功率 MOSFET

\- 低接通电阻

\- 低噪声

\- 低切换损耗


欧时:
### N-Channel Power MOSFET, Super J MOS, Fuji ElectricN-Channel enhancement mode power MOSFETs\- Low on-resistance \- Low noise \- Low switching loss ### MOSFET Transistors, Fuji Electric


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 47 A, 0.059 ohm, TO-247, 通孔


Allied Electronics:
IC; MOSFET; N-Channel; Super Junction; 600V; 40A; 390W; TO-247-P2


Newark:
# FUJI ELECTRIC  FMW47N60S1HF  Power MOSFET, N Channel, 47 A, 600 V, 0.059 ohm, 10 V, 3 V


FMW47N60S1HF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.059 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 390 W

阈值电压 3 V

输入电容 4000pF @10V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 47A

热阻 0.32℃/W RθJC

输入电容Ciss 4000pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 390 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-2

外形尺寸

长度 15.9 mm

宽度 5.03 mm

高度 20.95 mm

封装 TO-247-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

制造应用 Power Management, 通信与网络, Communications & Networking, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

FMW47N60S1HF引脚图与封装图
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