FID35-06C

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 38A 125000mW 5Pin5+Tab ISOPLUS I4-PAC

IGBT NPT 通孔 ISOPLUS i4-PAC™

得捷:
IGBT 600V 38A 125W I4PAC5

贸泽:
IGBT Transistors 35 Amps 600V

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 38A 5-Pin5+Tab ISOPLUS I4-PAC

FID35-06C中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 125000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 125 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 5

封装 i4-Pac-5

外形尺寸

长度 19.91 mm

宽度 5.03 mm

高度 20.88 mm

封装 i4-Pac-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FID35-06C引脚图与封装图

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FID35-06C	IXYS Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 600V 38A 125000mW 5Pin5+Tab ISOPLUS I4-PAC	搜索库存