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FDM47-06KC5

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Mosfet n-Ch 600V 47A I4-Pac-5

通孔 N 通道 600 V 47A(Tc) - ISOPLUS i4-PAC™


得捷:
MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this FDM47-06KC5 power MOSFET from Ixys Corporation. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with coolmos technology.


FDM47-06KC5中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 -

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 6800pF @100VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 5

封装 ISOPLUS-i4-5

外形尺寸

封装 ISOPLUS-i4-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDM47-06KC5引脚图与封装图
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FDM47-06KC5 IXYS Semiconductor Mosfet n-Ch 600V 47A I4-Pac-5 搜索库存
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型号: FDM47-06KC5

品牌: IXYS Semiconductor

封装: ISOPLUS-i4-5

当前型号

Mosfet n-Ch 600V 47A I4-Pac-5

当前型号

型号: FMD47-06KC5

品牌: IXYS Semiconductor

封装: ISOPLUS-i4-5

完全替代

Trans MOSFET N-CH 600V 47A 5Pin5+Tab ISOPLUS I4

FDM47-06KC5和FMD47-06KC5的区别

型号: IXKR47N60C5

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

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型号: MKE38RK600DFELB

品牌: IXYS Semiconductor

封装: ISOPLUS-SMPD-9 N-CH 600V 50A

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FDM47-06KC5和MKE38RK600DFELB的区别