耗散功率 -
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 6800pF @100VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 5
封装 ISOPLUS-i4-5
封装 ISOPLUS-i4-5
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDM47-06KC5 | IXYS Semiconductor | Mosfet n-Ch 600V 47A I4-Pac-5 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDM47-06KC5 品牌: IXYS Semiconductor 封装: ISOPLUS-i4-5 | 当前型号 | Mosfet n-Ch 600V 47A I4-Pac-5 | 当前型号 | |
型号: FMD47-06KC5 品牌: IXYS Semiconductor 封装: ISOPLUS-i4-5 | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 5Pin5+Tab ISOPLUS I4 | FDM47-06KC5和FMD47-06KC5的区别 | |
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型号: MKE38RK600DFELB 品牌: IXYS Semiconductor 封装: ISOPLUS-SMPD-9 N-CH 600V 50A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET,IXYS CoolMOS™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | FDM47-06KC5和MKE38RK600DFELB的区别 |