FQB4N80
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
电子元器件分类
FQB4N80中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 3.9A
封装参数
封装 D2PAK
外形尺寸
封装 D2PAK
其他
产品生命周期 Unknown
FQB4N80引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQB4N80
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB4N80 | Fairchild 飞兆/仙童 | 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FQB4N80
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB4N80 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： | 当前型号 | 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQB4N80TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 800V 3.9A 3.6ohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB4N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 800 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V | FQB4N80和FQB4N80TM的区别 |
