FMP30N60S1

FUJI 富士电机晶体管

FUJI ELECTRIC FMP30N60S1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V

**Features:

* Low On-State Resistance**

* Low Switching Loss**

* Easy to Use More Controllable Switching dV/dt by Rg **

Applications:

* UPS**

* Server**

* Telecom**

* Power Conditioner System**

* Power Supply

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V

Allied Electronics:
IC; MOSFET; N-Channel; Super Junction; 600V; 30A; 250W; TO-220AB

Newark:
# FUJI ELECTRIC FMP30N60S1 Power MOSFET, N Channel, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V

FMP30N60S1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.106 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 3 V

输入电容 2200pF @10V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 30A

热阻 1.39℃/W RθJC

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

FMP30N60S1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买FMP30N60S1

型号	制造商	描述	购买
FMP30N60S1	FUJI 富士电机	FUJI ELECTRIC FMP30N60S1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V	搜索库存