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FDMD8530
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDMD8530中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

极性 Dual N-Channel

耗散功率 78 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 35A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 10395pF @15VVds

额定功率Max 2.2 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerWDFN-8

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 PowerWDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDMD8530引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDMD8530 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMD8530  双路场效应管, MOSFET, 电源沟槽, 双N沟道, 201 A, 30 V, 0.00077 ohm, 10 V, 1.5 V 新 搜索库存