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FM25V20-G

F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。

FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 2Mb(256K x 8) SPI 40 MHz 8-SOIC


立创商城:
FM25V20-G


得捷:
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOIC


欧时:
### F-RAM,Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory Fast write speed High endurance Low power consumption ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。


贸泽:
F-RAM 2Mb SPI FRAM 2V


安富利:
NVRAM FRAM Serial-SPI 2M-Bit 3.3V 8-Pin SOIC


Chip1Stop:
FRAM 2Mbit Serial-SPI 3.3V 8-Pin SOIC EIAJ


FM25V20-G中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FM25V20-G引脚图与封装图
FM25V20-G引脚图

FM25V20-G引脚图

FM25V20-G封装图

FM25V20-G封装图

FM25V20-G封装焊盘图

FM25V20-G封装焊盘图

在线购买FM25V20-G
型号 制造商 描述 购买
FM25V20-G Cypress Semiconductor 赛普拉斯 F-RAM,Cypress Semiconductor ### FRAM(铁电 RAM) FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。 搜索库存
替代型号FM25V20-G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FM25V20-G

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。

当前型号

型号: FM25V20A-G

品牌: 赛普拉斯

封装: SOIC

完全替代

FM25V20A 系列 2-Mb 256 K × 8 3.6 V 40 MHz 串行 SPI F-RAM - SOIC-8

FM25V20-G和FM25V20A-G的区别