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FDR8521L
Fairchild 飞兆/仙童 主动器件
FDR8521L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -2.90 A

输出接口数 1

漏源极电阻 115 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 800 mW

漏源极电压Vds 20.0 V

漏源击穿电压 20.0 V

连续漏极电流Ids 2.90 A

输出电流Max 2.9 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SSOT-8

外形尺寸

长度 4.06 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.02 mm

封装 SSOT-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDR8521L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDR8521L Fairchild 飞兆/仙童 P沟道MOSFET栅极驱动器对于负载开关应用 P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch Application 搜索库存