FCP400N80Z

Fairchild 飞兆/仙童晶体管

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP400N80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 800 V, 0.34 ohm, 10 V, 4.5 V 新

N-Channel 800 V 14A Tc 195W Tc Through Hole TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP400N80Z MOSFET, N-CH, 800V, 14A, TO-220-3

FCP400N80Z中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 195 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 14A

输入电容Ciss 2350pF @1000VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 195W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

FCP400N80Z引脚图与封装图

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FCP400N80Z	Fairchild 飞兆/仙童	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP400N80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 800 V, 0.34 ohm, 10 V, 4.5 V 新	搜索库存