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FOD8332R2V

FOD8332R2V

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 电子元器件分类
FOD8332R2V中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 50 ns

通道数 1

针脚数 16

正向电压 1.45 V

耗散功率 600 mW

上升时间 50 ns

隔离电压 4243 Vrms

正向电流 25 mA

输入电流Min 16 mA

正向电压Max 1.8 V

下降时间 50 ns

下降时间Max 50 ns

上升时间Max 50 ns

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 600 mW

电源电压 3V ~ 15V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SO-16

外形尺寸

高度 2.35 mm

封装 SO-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 100℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FOD8332R2V引脚图与封装图
FOD8332R2V引脚图

FOD8332R2V引脚图

FOD8332R2V封装焊盘图

FOD8332R2V封装焊盘图

在线购买FOD8332R2V
型号 制造商 描述 购买
FOD8332R2V Fairchild 飞兆/仙童 光耦合器,IGBT/MOSFET 栅极驱动,Fairchild Semiconductor ### 光耦合器,Fairchild Semiconductor 搜索库存
替代型号FOD8332R2V
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FOD8332R2V

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SO-16

当前型号

光耦合器,IGBT/MOSFET 栅极驱动,Fairchild Semiconductor### 光耦合器,Fairchild Semiconductor

当前型号

型号: FOD8332V

品牌: 飞兆/仙童

封装:

功能相似

IGBT/MOSFET 栅极驱动,Fairchild Semiconductor### 光耦合器,Fairchild Semiconductor

FOD8332R2V和FOD8332V的区别