FOD8383R2V
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
电子元器件分类
FOD8383R2V中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 35ns, 25ns
通道数 1
针脚数 5
正向电压 1.43 V
耗散功率 500 mW
上升时间 35 ns
隔离电压 5000 Vrms
正向电流 25 mA
输入电流Min 25 mA
正向电压Max 1.8 V
下降时间 25 ns
下降时间Max 25 ns
上升时间Max 35 ns
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 500 mW
电源电压 15V ~ 30V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOP-6
外形尺寸
高度 2.65 mm
封装 SOP-6
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 100℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FOD8383R2V引脚图与封装图
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在线购买FOD8383R2V
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FOD8383R2V | Fairchild 飞兆/仙童 | IGBT/MOSFET 栅极驱动，Fairchild Semiconductor ### 光耦合器，Fairchild Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号FOD8383R2V
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FOD8383R2V 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： | 当前型号 | IGBT/MOSFET 栅极驱动，Fairchild Semiconductor### 光耦合器，Fairchild Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： FOD8383V 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 完全替代 | IGBT/MOSFET 栅极驱动，Fairchild Semiconductor### 光耦合器，Fairchild Semiconductor | FOD8383R2V和FOD8383V的区别 |