额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.3 W
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-25-5
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-25-5
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FMG3AT148引脚图
FMG3AT148封装图
FMG3AT148封装焊盘图
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FMG3AT148 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SC-74A NPN 50V 100mA 0.3W | 当前型号 | FMG3AT148 编带 | 当前型号 | |
型号: FMG6AT148 品牌: 罗姆半导体 封装: SMT NPN 50V 100mA | 完全替代 | 双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA | FMG3AT148和FMG6AT148的区别 | |
型号: FMG4AT148 品牌: 罗姆半导体 封装: SC-74A NPN 50V 100mA 300mW | 类似代替 | ROHM FMG4AT148 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 300 mW, 100 mA, 250 hFE, SC-74A | FMG3AT148和FMG4AT148的区别 | |
型号: UMG3NTR 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-353 NPN 50V 100mA 100mW | 类似代替 | ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | FMG3AT148和UMG3NTR的区别 |