FML9T148
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
FML9T148中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200 mW
增益频宽积 400 MHz
击穿电压集电极-发射极 12 V
最小电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-753
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-753
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FML9T148引脚图与封装图
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在线购买FML9T148
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FML9T148 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 1.5A 5Pin | 搜索库存 |
替代型号FML9T148
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FML9T148 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SMT | 当前型号 | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 1.5A 5Pin | 当前型号 |
| 型号： FML10T148 品牌： 罗姆半导体 封装： SMT | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS GP BJT NPN 12V 1.5A 5PIN | FML9T148和FML10T148的区别 |