FM28V020-TGTR
数据手册.pdfCypress Semiconductor(赛普拉斯)
电子元器件分类
FM28V020-TGTR中文资料参数规格
技术参数
存取时间 70 ns
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 TSOP-32
外形尺寸
封装 TSOP-32
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
FM28V020-TGTR引脚图与封装图 
FM28V020-TGTR引脚图
FM28V020-TGTR封装图
FM28V020-TGTR封装焊盘图
在线购买FM28V020-TGTR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FM28V020-TGTR | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 256Kbit字节宽度的F- RAM存储器 256Kbit Bytewide F-RAM Memory | 搜索库存 |
替代型号FM28V020-TGTR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FM28V020-TGTR 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： 32-TFSOP | 当前型号 | 256Kbit字节宽度的F- RAM存储器 256Kbit Bytewide F-RAM Memory | 当前型号 |
| 型号： FM28V020-TG 品牌： 赛普拉斯 封装： TSOP-32 | 类似代替 | F-RAM，Cypress Semiconductor### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。 | FM28V020-TGTR和FM28V020-TG的区别 |
| 型号： FM28V020-SG 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 功能相似 | F-RAM，Cypress Semiconductor### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。 | FM28V020-TGTR和FM28V020-SG的区别 |
| 型号： FM25V02-G 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 功能相似 | F-RAM，Cypress Semiconductor FRAM（铁电 RAM） FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。 | FM28V020-TGTR和FM25V02-G的区别 |