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FM25640B-GTR

FM25640B-GTR

数据手册.pdf

64Kbit,SPI串行FRAM存储器

FRAM Ferroelectric RAM Memory IC 64Kb 8K x 8 SPI 20MHz 8-SOIC


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FM25640B-GTR


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FM25640B-GTR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 4 mA

针脚数 8

时钟频率 20 MHz

耗散功率 1 W

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FM25640B-GTR引脚图与封装图
FM25640B-GTR引脚图

FM25640B-GTR引脚图

FM25640B-GTR封装图

FM25640B-GTR封装图

FM25640B-GTR封装焊盘图

FM25640B-GTR封装焊盘图

在线购买FM25640B-GTR
型号 制造商 描述 购买
FM25640B-GTR Cypress Semiconductor 赛普拉斯 64Kbit,SPI串行FRAM存储器 搜索库存
替代型号FM25640B-GTR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FM25640B-GTR

品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装： FBGA

当前型号

64Kbit,SPI串行FRAM存储器

当前型号

型号： FM25640B-G

品牌： 赛普拉斯

封装： SOIC 8000B 8Pin

完全替代

CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25640B-G  芯片, 存储器, FRAM, 64K, SPI, 8SOIC

FM25640B-GTR和FM25640B-G的区别

型号： FM24CL64B-G

品牌： 赛普拉斯

封装： FBGA

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F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

FM25640B-GTR和FM24CL64B-G的区别

型号： FM25CL64B-G

品牌： 赛普拉斯

封装： SOIC 8000B 2.7V 8Pin

类似代替

CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25CL64B-G  存储芯片, FRAM, 64K, SPI, 8SOIC

FM25640B-GTR和FM25CL64B-G的区别