FM24CL64B-DGTR中文资料参数规格
技术参数
存取时间 550 ns
存取时间Max 550 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TDFN-8
外形尺寸
封装 TDFN-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FM24CL64B-DGTR引脚图与封装图 
FM24CL64B-DGTR引脚图
FM24CL64B-DGTR封装图
FM24CL64B-DGTR封装焊盘图
在线购买FM24CL64B-DGTR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FM24CL64B-DGTR | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | FM24CL64 系列 64 Kb 8K x 8 3 V 3 us 串行 F-RAM 存储器 - TDFN-8 | 搜索库存 |
替代型号FM24CL64B-DGTR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FM24CL64B-DGTR 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： TDFN-8 | 当前型号 | FM24CL64 系列 64 Kb 8K x 8 3 V 3 us 串行 F-RAM 存储器 - TDFN-8 | 当前型号 |
| 型号： FM24CL64B-DG 品牌： 赛普拉斯 封装： TDFN-8 | 完全替代 | FM24CL64 系列 64 Kb 8 K x 8 3 V 3 us 串行 F-RAM 存储器 - TDFN-8 | FM24CL64B-DGTR和FM24CL64B-DG的区别 |
| 型号： FM25CL64B-DG 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 类似代替 | F-RAM，Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。 | FM24CL64B-DGTR和FM25CL64B-DG的区别 |