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FM25040B-G

FM25040B-G

数据手册.pdf

FM25040B 系列 4 Kb 512 x 8 串行 5 V F-RAM 存储器 - SOIC-8

F-RAM,

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗

### FRAM(铁电 RAM)

FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。


得捷:
IC FRAM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOIC


立创商城:
FM25040B-G


欧时:
Cypress Semiconductor FM25040B-G 4kbit SPI FRAM 存储器, 512 x 8 位, 4.5 → 5.5 V, -40 → +85 °C


e络盟:
铁电存储器FRAM, 4 Kbit512 x 8SPI, 20 MHz, 4.5 V至5.5 V电源, SOIC-8


艾睿:
FRAM 4Kbit Serial-SPI Interface 5V Automotive 8-Pin SOIC Tube


安富利:
NVRAM FRAM Serial-SPI 4K-Bit 5V 8-Pin SOIC


Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-SPI 4K-Bit 5V 8-Pin SOIC


Verical:
FRAM 4Kbit Serial-SPI Interface 5V Automotive 8-Pin SOIC Tube


Win Source:
IC FRAM 4KBIT 20MHZ 8SOIC


FM25040B-G中文资料参数规格
技术参数

供电电流 4 mA

针脚数 8

时钟频率 20 MHz

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FM25040B-G引脚图与封装图
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在线购买FM25040B-G
型号 制造商 描述 购买
FM25040B-G Cypress Semiconductor 赛普拉斯 FM25040B 系列 4 Kb 512 x 8 串行 5 V F-RAM 存储器 - SOIC-8 搜索库存
替代型号FM25040B-G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FM25040B-G

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

FM25040B 系列 4 Kb 512 x 8 串行 5 V F-RAM 存储器 - SOIC-8

当前型号

型号: FM24C04B-G

品牌: 赛普拉斯

封装: SOIC 500B 4.5V 8Pin

类似代替

CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM24C04B-G  芯片, 存储器, FRAM, 4K, I2C, 8SOIC

FM25040B-G和FM24C04B-G的区别

型号: FM25L04B-G

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

功能相似

F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。

FM25040B-G和FM25L04B-G的区别

型号: FM25L04B-GTR

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

功能相似

4-Kbit 512 x 8串行SPI F-RAM

FM25040B-G和FM25L04B-GTR的区别