FDS9412
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS9412中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 7.90 A
漏源极电阻 0.022 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.6 V
输入电容 830 pF
栅电荷 14.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.90 A
上升时间 10.0 ns
输入电容Ciss 830pF @15VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS9412引脚图与封装图
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在线购买FDS9412
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS9412 | Fairchild 飞兆/仙童 | 单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | 搜索库存 |
替代型号FDS9412
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS9412 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 7.9A 22mohms 830pF | 当前型号 | 单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | 当前型号 |
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| 型号： NDS9410A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 30V 7.3A 28mohms | 类似代替 | 单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | FDS9412和NDS9410A的区别 |