FQPF50N06
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF50N06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 31.0 A
漏源极电阻 22.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 47 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 31.0 A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 1540pF @25VVds
额定功率Max 47 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 47W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF50N06引脚图与封装图
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在线购买FQPF50N06
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQPF50N06 | Fairchild 飞兆/仙童 | LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FQPF50N06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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