FQP7N10
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP7N10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 7.30 A
漏源极电阻 350 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 40W Tc
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 7.30 A
输入电容Ciss 250pF @25VVds
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP7N10引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQP7N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP7N10 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 100V 7.3A 350mohms | 当前型号 | 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP7N10和STP55NF06的区别 |
| 型号： STP80NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP7N10和STP80NF10的区别 |
| 型号： STD15NF10T4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V | FQP7N10和STD15NF10T4的区别 |