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FQPF1P50
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQPF1P50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -500 V

额定电流 -1.50 A

通道数 1

漏源极电阻 10.5 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 28 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 1.03 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

额定功率Max 28 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 28W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQPF1P50引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQPF1P50 Fairchild 飞兆/仙童 500V P沟道MOSFET 500V P-Channel MOSFET 搜索库存