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FQA34N20
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQA34N20中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 34.0 A

漏源极电阻 75.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 210 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 34.0 A

上升时间 280 ns

输入电容Ciss 3100pF @25VVds

下降时间 115 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 210W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.2 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQA34N20引脚图与封装图
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FQA34N20 Fairchild 飞兆/仙童 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET 搜索库存