FQB32N20CTM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB32N20CTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 32.0 A
漏源极电阻 68.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.13W Ta, 156W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
输入电容Ciss 2220pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
耗散功率Max 3.13W Ta, 156W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB32N20CTM引脚图与封装图
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在线购买FQB32N20CTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB32N20CTM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQB32N20CTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB32N20CTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263-3 N-Channel 200V 28A 68mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
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| 型号： STB19NF20 品牌： 意法半导体 封装： TO-263-3 | 功能相似 | STB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK | FQB32N20CTM和STB19NF20的区别 |
| 型号： NTE2376 品牌： NTE Electronics 封装： TO-247 N-Channel 200V 30A 85mΩ | 功能相似 | NTE ELECTRONICS NTE2376 场效应管, MOSFET | FQB32N20CTM和NTE2376的区别 |