FQPF90N10V2
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF90N10V2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 90.0 A
漏源极电阻 10.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 90.0 A
上升时间 492 ns
输入电容Ciss 6150pF @25VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 355 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF90N10V2引脚图与封装图
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在线购买FQPF90N10V2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQPF90N10V2 | Fairchild 飞兆/仙童 | 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FQPF90N10V2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF90N10V2 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 100V 90A 10mohms | 当前型号 | 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP80NF10FP 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel 100V 40A | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQPF90N10V2和STP80NF10FP的区别 |