FQH90N10V2
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQH90N10V2中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 10.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 330 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 105 A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247
外形尺寸
封装 TO-247
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQH90N10V2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| FQH90N10V2 | Fairchild 飞兆/仙童 | 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |