FQU30N06LTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQU30N06LTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 24.0 A
漏源极电阻 39.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
上升时间 210 ns
输入电容Ciss 1040pF @25VVds
下降时间 110 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 44W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
高度 6.3 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQU30N06LTU引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQU30N06LTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQU30N06LTU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3Pin3+Tab IPAK Rail | 搜索库存 |
替代型号FQU30N06LTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQU30N06LTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-251 N-Channel 60V 24A 39mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3Pin3+Tab IPAK Rail | 当前型号 |
| 型号： STD20NF06L 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel | 功能相似 | N沟道60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK的STripFET II功率MOSFET N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET | FQU30N06LTU和STD20NF06L的区别 |