FQA90N10V2
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA90N10V2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 10 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 330 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 105 A
上升时间 492 ns
输入电容Ciss 6150pF @25VVds
额定功率Max 330 W
下降时间 355 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 330W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQA90N10V2引脚图与封装图
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在线购买FQA90N10V2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQA90N10V2 | Fairchild 飞兆/仙童 | 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FQA90N10V2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQA90N10V2 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-Channel 100V 105A 10mohms | 当前型号 | 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STW120NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 100V 110A 9mΩ 5.2nF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 9 mohm, 10 V, 4 V | FQA90N10V2和STW120NF10的区别 |